| 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制 |
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| 引用本文： | 赵鸿燕, 司俊杰, 丁嘉欣, 成彩晶, 张亮, 张向锋, 陈慧娟. 高Al组分AlGaN肖特基二极管研制[J]. 红外技术, 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004 |
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| 作者姓名： | 赵鸿燕 司俊杰 丁嘉欣 成彩晶 张亮 张向锋 陈慧娟 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009 |
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| 摘 要： | 制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.
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| 关 键 词： | AlGaN 肖特基二极管 理想因子 势垒高度 |
| 文章编号： | 1001-8891（2007）10-03-0570 |
| 修稿时间： | 2007-06-19 |
The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction |
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| ZHAO Hong-yan, SI Jun-jie, DING Jia-xin, CHENG Cai-jing, ZHANG Liang, ZHANG Xiang-feng, CHEN Hui-juan. The Study on the Performance of AlGaN p-i-n Schottky Diode with High AI Fraction[J]. Infrared Technology , 2007, 29(10): 570-572. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.10.004 |
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| Authors: | ZHAO Hong-yan SI Jun-jie DING Jia-xin CHENG Cai-jing ZHANG Liang ZHANG Xiang-feng CHEN Hui-juan |
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| Affiliation: | China Airborne Missile Academy, Luoyang Henan 471009, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN Schottky diode ideal factor barrier height |
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