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| CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究 | |
| 引用本文： | 杨玉林,赵俊,杨宇,姬荣斌.CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究[J].红外技术,2007,29(2):88-90. |
| 作者姓名： | 杨玉林 赵俊 杨宇 姬荣斌 |
| 作者单位： | 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223;云南大学,云南,昆明,650031 2. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223 3. 云南大学,云南,昆明,650031 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 云南省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底.通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低.为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础. |
| 关 键 词： | MBE CdTe GaAs HgCdTe HgCdTe GaAs 薄膜 生长参数 研究 Growth Study FWHM 半峰宽 回摆曲线 射线 循环热处理 质量 束流 生长温度 优化 实验探索 分析 理论 复合衬底 |
| 文章编号： | 1001-8891（2007）02-0088-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-25 |
Study on Growth of CdTe/GaAs(111)B Thin Film by MBE |
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| YANG Yu-lin,ZHAO Jun,YANG Yu,JI Rong-bin.Study on Growth of CdTe/GaAs(111)B Thin Film by MBE[J].Infrared Technology,2007,29(2):88-90. | |
| Authors: | YANG Yu-lin ZHAO Jun YANG Yu JI Rong-bin |
| Affiliation: | 1 .Kunming Institute of Physics, Kunming Yunnan 650223, China; 2. Yunnan University, Kunming Yunnan 650031, China |
| Abstract: | CdTe thin film has been grown on GaAs(111)B substrate by MBE in order to get CdTe/GaAs(111)B complex substrate to use in HgCdTe grown by LPE.Through theoretic analysis and experimental exploring,after optimizing growth temperature and Te/Cd flux,CdTe thin film with better quality has been made.Through circle annealing process,the quality of CdTe/GaAs(111)B complex substrate is improved with decreasing of FWHM of DCRC of CdTe/GaAs(111)B thin film.It will help HgCdTe thin film grown by LPE. |
| Keywords: | MBE CdTe GaAs HgCdTe |
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