| 常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究 |
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| 引用本文： | 李海江,王守国,赵玲利,叶甜春. 常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究[J]. 半导体技术, 2004, 29(12): 26-29 |
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| 作者姓名： | 李海江 王守国 赵玲利 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100010;中国科学院微电子研究所,北京,100010;中国科学院微电子研究所,北京,100010;中国科学院微电子研究所,北京,100010 |
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| 摘 要： | 介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究.实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min,测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系;并对离子注入(B ,5×1015cm-2)后的光刻胶进行了清洗实验,得到清洗速率为300nm/min.清洗后的电镜分析证明,经等离子体清洗后,硅片表面无损伤、无残胶.
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| 关 键 词： | 常压 射频 等离子体 光刻胶 清洗 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)12-0026-04 |
| 修稿时间： | 2004-09-28 |
Stripping of Photoresist by an Atmospheric Pressure Radio-Frequency Plasma |
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| LI Hai-jiang,WANG Shou-guo,ZHAO Ling-li,YIE Tian-chun. Stripping of Photoresist by an Atmospheric Pressure Radio-Frequency Plasma[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(12): 26-29 |
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| Authors: | LI Hai-jiang WANG Shou-guo ZHAO Ling-li YIE Tian-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | atmospheric pressure RF plasma photoresist stripping |
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