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| MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 | |
| 作者姓名： | 曹昕 曾一平 孔梅影 王保强 潘量 张昉昉 朱战萍 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
| 基金项目： | “九五”国家重点科技攻关项目97-770-01-01支持课题[Poject Supported by Natlonal Key Science and Technology Project in“9th Five Year Plan”Program of China(No．97-770-01-01)]. |
| 摘 要： | 用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m A/mm,Imax～ 52 0— 580 m A/mm,gm～ 32 0— 40 0 m S/mm,BVDS>1 5V( IDS=1 m A/mm) ,BVGS>1 0 V,微波特性 :P0 ～ 60 0— 90 0 m W/mm,G～ 6— 1 0 d B,ηadd～ 40— 60 % ;栅长为 0 .4μm的器件的直流特性 :Imax～ 80 0 m A/mm,gm>40 0 m S/mm. |
| 关 键 词： | PHEMT MBE AlGaAs/InGaAs |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)09-0934-03 |
| 修稿时间： | 2000-06-06 |
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