| 中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器 |
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| 引用本文： | 石柱,何伟,覃文治,向秋澄.中心带雪崩光电二极管的InGaAs PIN四象限探测器[J].红外与激光工程,2010,39(5). |
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| 作者姓名： | 石柱 何伟 覃文治 向秋澄 |
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| 摘 要： | 介绍了研制的中心带雪崩管的PIN四象限InGaAs光电探测器.这种光电探测器PD芯片具有一个平面结构的InGaAs PIN四象限光电二极管,其中心位置带有一个雪崩光电二极管,位于同一晶片上.探测器的5个PD芯片被安装在各自厚膜集成的前置放大器上,同时封装在一个带光窗的金属壳体中.中心雪崩探测器和四象限探测器的电压响应度、响应时间、等效噪声功率分别为:2.5×105 V/W(1 550 nm)和0.95×104 V/W(1 550 nm);7 ns和20 ns;0.15×10-12 W/Hz1/2和4×10-12W/Hz1/2,象限间串扰小于3%,象限内不均匀性小于5%.这种探测器可同时用于人眼安全激光测距、激光定位和跟踪.
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| 关 键 词： | 四象限光电探测器 人眼安全激光测距 激光坐标定位 InGaAs PIN和APD |
Quadrant PIN photo-detector integrated APD in the center on the basis of InGaAs heterostructure |
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| SHI Zhu,HE Wei,QIN Wen-zhi,XIANG Qiu-cheng.Quadrant PIN photo-detector integrated APD in the center on the basis of InGaAs heterostructure[J].Infrared and Laser Engineering,2010,39(5). |
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| Authors: | SHI Zhu HE Wei QIN Wen-zhi XIANG Qiu-cheng |
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