| 大面积MCP-PMT K_2CsSb光电阴极理论与测控技术研究 |
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| 引用本文： | 常本康.大面积MCP-PMT K_2CsSb光电阴极理论与测控技术研究[J].红外技术,2013(8):455-462. |
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| 作者姓名： | 常本康 |
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| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目,编号:61171042 |
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| 摘 要： | 针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380510 nm转换波长的闪烁体,分别从K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380510 nm转换波长的闪烁体,分别从K2CsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380510 nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.92510 nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.923.26 eV,反射式工作范围在2.433.26 eV,反射式工作范围在2.432.92eV;针对球形光电倍增管结构,提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25阴极6点监控制备方法,给出了测试方法。
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| 关 键 词： | 光电倍增器 光电阴极 第一性原理 能带结构 制备工艺 |
Theory and Control Technology of Large Area MCP-PMT K_2 CsSb Photocathode |
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| CHANG Ben-kang.Theory and Control Technology of Large Area MCP-PMT K_2 CsSb Photocathode[J].Infrared Technology,2013(8):455-462. |
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| Authors: | CHANG Ben-kang |
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| Affiliation: | CHANG Ben-kang;School of electronic engineering and optoelectronic technology, Nanjing University of Science and Technology; |
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