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| 锗单晶脆断强度的研究 | |
| 引用本文： | 谢书银,石志银,钟洣云,梁建明,牛传海.锗单晶脆断强度的研究[J].稀有金属,1984(1). |
| 作者姓名： | 谢书银 石志银 钟洣云 梁建明 牛传海 |
| 作者单位： | 中南矿冶学院 (谢书银，石志银，钟洣云)，河南安阳半导体材料厂 (梁建明)，河南安阳半导体材料厂(牛传海) |
| 摘 要： | 不同生长条件和冷却方式下拉制的锗单晶按规定晶向切、磨成一定尺寸的试样片状,用CP-4A腐蚀液抛光,使表面光亮、平整,无划痕,无位错蚀坑,用三点弯曲方法测出脆断强度;研究了脆断强度与拉晶条件的关系;应用位错模型说明了锗单晶的脆断过程,探讨了锗单晶的脆断机理。 |
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