锗单晶脆断强度的研究 |
| |
引用本文: | 谢书银,石志银,钟洣云,梁建明,牛传海.锗单晶脆断强度的研究[J].稀有金属,1984(1). |
| |
作者姓名: | 谢书银 石志银 钟洣云 梁建明 牛传海 |
| |
作者单位: | 中南矿冶学院
(谢书银,石志银,钟洣云),河南安阳半导体材料厂
(梁建明),河南安阳半导体材料厂(牛传海) |
| |
摘 要: | 不同生长条件和冷却方式下拉制的锗单晶按规定晶向切、磨成一定尺寸的试样片状,用CP-4A腐蚀液抛光,使表面光亮、平整,无划痕,无位错蚀坑,用三点弯曲方法测出脆断强度;研究了脆断强度与拉晶条件的关系;应用位错模型说明了锗单晶的脆断过程,探讨了锗单晶的脆断机理。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|