| 氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究 |
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| 引用本文： | 陈仁芳,张丽平,吴卓鹏,李振飞,孟凡英,刘正新.氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究[J].太阳能学报,2021(6):103-108. |
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| 作者姓名： | 陈仁芳 张丽平 吴卓鹏 李振飞 孟凡英 刘正新 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心;2. 中国科学院大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(62074153)；;上海市科技创新行动计划项目(20dz1207103;19DZ1207602)； |
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| 摘 要： | 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4～736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99～38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%～81.07%)及转换效率(Eff,22.04%～22.79%)均得到明显提升。
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| 关 键 词： | 氢注入 硅异质结太阳电池 非晶硅薄膜 钝化 缺陷态 |
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