| 一种新型过温保护电路 |
| |
| 引用本文： | 王永顺,贾泳杰.一种新型过温保护电路[J].半导体技术,2010,35(10). |
| |
| 作者姓名： | 王永顺 贾泳杰 |
| |
| 作者单位： | 兰州交通大学电子与信息工程学院,兰州,730070 |
| |
| 基金项目： | 兰州市科技发展计划项目 |
| |
| 摘 要： | 采用CSMC 0.5 μm工艺,设计了一种新型过温保护电路.从检测温度和控制温度两方面考虑,通过优化电路结构,提出一种新型系统解决方案.在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能.采用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,温度在-50～200℃时,PTAT电压以10.5 mV/℃变化,过温保护开启温度为105℃,具有滞迟功能.成功流片后对芯片进行测试,结果显示,在20～130 ℃内,PTAT电压灵敏度约为10 mV/℃,过温保护开启温度的实测值与仿真值的偏差小于3℃,滞迟范围为20℃.该保护电路是开关电源IP的重要组成部分,在设计过程中时刻考虑其工艺健壮性和可重用性的约束条件,确保其可移植性.
|
| 关 键 词： | 功率密度 过温保护 热滞回 与绝对温度成正比 健壮性 |
Novel Over-Thermal Protection Circuit |
| |
| Wang Yongshun,Jia Yongjie.Novel Over-Thermal Protection Circuit[J].Semiconductor Technology,2010,35(10). |
| |
| Authors: | Wang Yongshun Jia Yongjie |
| |
| Affiliation: | Wang Yongshun,Jia Yongjie(School of Electronic and Information Engineering,Lanzhou Jiaotong University,Lanzhou 730070,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | power density over-thermal protection thermal hysteresis PTAT robustness |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
