为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 |
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引用本文: | 牛国富,阮刚.为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型[J].半导体学报,1994,15(9):611-616. |
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作者姓名: | 牛国富 阮刚 |
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作者单位: | 复旦大学微电子学研究所,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 |
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摘 要: | 本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSITCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TFSOI结构的理论依据.
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关 键 词: | 硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入 |
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