|
|||||
|
|
| 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型 | |
| 作者姓名： | 牛国富 阮刚 |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学研究所，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 |
| 摘 要： | 本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据． |
| 关 键 词： | 硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |