| 基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究 |
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| 引用本文： | 周鑫,朱大中,郭维. 基于标准CMOS工艺的有源像素单元结构的研究[J]. 压电与声光, 2005, 27(4): 434-437 |
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| 作者姓名： | 周鑫 朱大中 郭维 |
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| 作者单位： | 浙江大学,信息与电子工程学系,微电子技术与系统设计研究所,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（90307009） |
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| 摘 要： | 基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P /N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N /P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CM O S工艺研制。测试分析结果表明P /N-w e ll/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N /P-sub结构。通过改变复位信号频率,将P /N-w e ll/P-sub结构像素的感光动态范围提高到139.8 dB,改善了有源像素的感光性能。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体集成电路（CMOS） 有源像素传感器 光电传感器 |
| 文章编号： | 1004-2474(2005)04-0434-04 |
| 收稿时间： | 2003-11-13 |
| 修稿时间： | 2003-11-13 |
Research of Active Pixel Structure Based on Standard CMOS Technology |
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| ZHOU Xin,ZHU Da-zhong,GUO Wei. Research of Active Pixel Structure Based on Standard CMOS Technology[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2005, 27(4): 434-437 |
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| Authors: | ZHOU Xin ZHU Da-zhong GUO Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS active pixel sensor photoelectric sensor |
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