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| α-Si:H薄膜的制备及掺杂样品电导率 | |
| 作者姓名： | 惠恒荣 向勇 周大龙 张小平 李梅 |
| 作者单位： | 成都电讯工程学院(惠恒荣，向勇，周大龙)，七三九半导体材料研究所(张小平)，七三九半导体材料研究所(李梅) |
| 摘 要： | 本文介绍了运用辉光分解硅烷法制备a-Si:H薄膜的基本原理、设备及工艺,采用不同的工艺条件制备了一系列不同的掺杂和本征a-Si:H薄膜,对掺杂样品的电导率进行了检测.结果表明,掺杂显著地提高了材料的电导率. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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