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155 Mbit/s和622 Mbit/s 速率0.6 μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片
引用本文:梁帮立,王志功,田俊,章丽,熊明珍. 155 Mbit/s和622 Mbit/s 速率0.6 μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片[J]. 高技术通讯, 2003, 13(10): 1-4
作者姓名:梁帮立  王志功  田俊  章丽  熊明珍
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),863-SOC-Y-4-2,
摘    要:采用国内的CSMC-HJ 0.6μm CMOS工艺实现了155Mb/s和622Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明,激光二极管驱动电路(LDD),前置放大器(Pre-Amp)和限幅放大器(LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。

关 键 词:光纤通信 激光二极管驱动电路 前置放大器集成电路 限幅放大器集成电路 CMOS工艺 芯片
修稿时间:2002-12-24

155Mbit/s and 622Mbit/s Data Speed ICs for Optical Access Networks in 0.6μm CMOS Technology
Liang Bangli,Wang Zhigong,Tian Jun,Zhang Li,Xiong Mingzhen. 155Mbit/s and 622Mbit/s Data Speed ICs for Optical Access Networks in 0.6μm CMOS Technology[J]. High Technology Letters, 2003, 13(10): 1-4
Authors:Liang Bangli  Wang Zhigong  Tian Jun  Zhang Li  Xiong Mingzhen
Abstract:
Keywords:Optic access network   SDH   CMOS technology   High speed IC
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