| GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀 |
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| 引用本文： | 杨瑞霞, 陈宏江, 武一宾, 杨克武, 杨帆,. GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs结构的选择湿法腐蚀[J]. 电子器件, 2007, 30(2): 384-386,390 |
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| 作者姓名： | 杨瑞霞 陈宏江 武一宾 杨克武 杨帆 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第13所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5∶1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性.
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| 关 键 词： | 柠檬酸 GaAs/AlxGa1-xAs系统 选择性湿法腐蚀 GaAs MESFET |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)02-0384-03 |
| 修稿时间： | 2006-04-10 |
Selective Wet Etching of GaAs/AlxGa1-xAs System with Citric-Acid /H2O2 Solution for the Fabrication of GaAs MISFET |
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| YANG Rui-xi,CHEN Hong-jiang,WU Yi-bin,YANG Ke-wu,YANG Fan. Selective Wet Etching of GaAs/AlxGa1-xAs System with Citric-Acid /H2O2 Solution for the Fabrication of GaAs MISFET[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(2): 384-386,390 |
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| Authors: | YANG Rui-xi CHEN Hong-jiang WU Yi-bin YANG Ke-wu YANG Fan |
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| Affiliation: | School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;2.The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/AlxGa1-xAs system citric acid selective wet etching GaAs MESFET |
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