| SiC VDMOS特性的影响因素分析 |
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| 引用本文： | 张娟,柴常春,杨银堂,徐俊平. SiC VDMOS特性的影响因素分析[J]. 微电子学, 2008, 38(2): 211-214 |
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| 作者姓名： | 张娟 柴常春 杨银堂 徐俊平 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学,微电子学院,西安,710071 |
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| 摘 要： | 研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响.结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件.对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds＝ 0.1 V、Vgs＝15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小.
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| 关 键 词： | SiC VDMOS 栅氧化层 沟道长度 VDMOS 结构特性 影响因素分析 Characteristics Effects 线性 分析表 漏极电流 阈值电压 功率器件 电流密度 结果 沟道长度 栅氧化层厚度 材料 研究 |
| 文章编号： | 1004-3365(2008)02-0211-04 |
| 修稿时间： | 2007-09-03 |
Analysis of Effects on Characteristics of SiC VDMOS |
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| ZHANG Juan,CHAI Changchun,YANG Yintang,XU Junping. Analysis of Effects on Characteristics of SiC VDMOS[J]. Microelectronics, 2008, 38(2): 211-214 |
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| Authors: | ZHANG Juan CHAI Changchun YANG Yintang XU Junping |
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