| 利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸 |
| |
| 引用本文： | 薛清,李冠成,王秉坤. 利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸[J]. 半导体技术, 2004, 29(10): 20-21,26 |
| |
| 作者姓名： | 薛清 李冠成 王秉坤 |
| |
| 作者单位： | 淮海工学院数理科学系,江苏,连云港,222005;淮海工学院数理科学系,江苏,连云港,222005;淮海工学院数理科学系,江苏,连云港,222005 |
| |
| 摘 要： | 报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系.
|
| 关 键 词： | 纳米硅 快速热退火 非晶硅 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)10-0020-02 |
Size Controlling of the Nanoscale Silicon Particles in a-Si:H Films by RTA |
| |
| XUE Qing,LI Guan-cheng,WANG Bing-kun. Size Controlling of the Nanoscale Silicon Particles in a-Si:H Films by RTA[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(10): 20-21,26 |
| |
| Authors: | XUE Qing LI Guan-cheng WANG Bing-kun |
| |
| Abstract: | A new method for controlling the size of nanoscale silicon grown by rapid thermal annealing(RTA) on hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) films is reported. The effect of the tem- perature on the formed silicon particles is discussed. |
| |
| Keywords: | nanoscale silicon rapid thermal annealing amorphous silicon |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
