| fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件 |
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| 引用本文： | 郑英奎,刘果果,和致经,刘新宇,吴德馨.fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件[J].半导体学报,2006,27(6). |
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| 作者姓名： | 郑英奎 刘果果 和致经 刘新宇 吴德馨 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.
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| 关 键 词： | GaN 蓝宝石 HEMT GaN sapphire substrate high electron mobility transistor 蓝宝石衬底 栅长 AlGaN 高电子迁移率 功率器件 Sapphire HEMTs associated efficiency testing output power power devices maximum drain current density high electron mobility single finger unity gain |
0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN Power HEMTs on Sapphire with fT of 77GHz |
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| Zheng Yingkui,Liu Guoguo,He Zhijing,Liu Xinyu,Wu Dexin.0.25μm Gate-Length AlGaN/GaN Power HEMTs on Sapphire with fT of 77GHz[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). |
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| Authors: | Zheng Yingkui Liu Guoguo He Zhijing Liu Xinyu Wu Dexin |
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