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| 0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究 | |
| 引用本文： | 洪根深,肖志强,王栩,周淼.0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子可靠性研究[J].微电子学,2012,42(2):293-296. |
| 作者姓名： | 洪根深 肖志强 王栩 周淼 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第五十八研究所,江苏 无锡,214035 |
| 摘 要： | 对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/Vt)和跨导的退化(Δgm/gm)分别为0.23%和2.98%。以器件最大跨导gm退化10%时所对应的时间作为器件寿命,依据幸运电子模型,0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寿命可达16.82年。 |
| 关 键 词： | SOI 部分耗尽 NMOSFET 热载流子效应 可靠性 |
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