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| 一种基于0.18μm CMOS工艺的上电复位电路 | |
| 作者姓名： | 张俊安 陈良 杨毓军 张瑞涛 王友华 余金山 |
| 作者单位： | 1. 模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 2. 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆,400060 3. 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060;国防科技大学,长沙410073 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，中国博士后科学基金资助项目，重庆市科委基金资助项目 |
| 摘 要： | 介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。 |
| 关 键 词： | 上电复位电路 低阈值电压 CMOS NMOS |
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