| 808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器 |
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| 引用本文： | 张素梅,赵世舜,石英学,石家纬.808 nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器[J].半导体光电,2004,25(3):177-180. |
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| 作者姓名： | 张素梅 赵世舜 石英学 石家纬 |
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| 作者单位： | 吉林大学,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林,长春,130012;吉林大学,数学学院,吉林,长春,130012 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目
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吉林大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,其发射波长为808 nm,腔长为900 μm,条宽为100μm.其外延结构与通常的808 nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层.对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阚值电流偏大、导通电压偏高的直流特性.经4 200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.
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| 关 键 词： | 高功率 远结 单量子阱 AlGaAs/GaAs |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)03-0177-04 |
| 修稿时间： | 2004年1月19日 |
808 nm High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Remote Junction Lasers |
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| ZHANG Su-mei,ZHAO Shi-shun,SHI Ying-xue,SHd Optoelectronics, . College of Mathematics,Jilin University,Changchun ,CHN.808 nm High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well Remote Junction Lasers[J].Semiconductor Optoelectronics,2004,25(3):177-180. |
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| Authors: | ZHANG Su-mei ZHAO Shi-shun SHI Ying-xue SHd Optoelectronics College of Mathematics Jilin University Changchun CHN |
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| Affiliation: | ZHANG Su-mei1,ZHAO Shi-shun2,SHI Ying-xue1,SHd Optoelectronics, 2. College of Mathematics,Jilin University,Changchun 130023,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-power remote junction single quantum well (SQW) AlGaAs/GaAs |
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