| SiGe器件及其研究综述 |
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| 引用本文： | 孙自敏,董志伟. SiGe器件及其研究综述[J]. 微纳电子技术, 1999, 0(1) |
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| 作者姓名： | 孙自敏 董志伟 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所 |
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| 摘 要： | 阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。
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| 关 键 词： | SiGe器件 HBT 异质结 |
Summary of Research on SiGe Devices |
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| Sun Zimin,Dong Zhiwei. Summary of Research on SiGe Devices[J]. Micronanoelectronic Technology, 1999, 0(1) |
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| Authors: | Sun Zimin Dong Zhiwei |
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| Abstract: | This paper describes the main research directions of SiGe devices and the current state of the researches on SiGe materials and SiGe devices.The future development of SiGe devices is also compared with that of Si devices and GaAs devices. |
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| Keywords: | SiGe device HBT Heterojunction |
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