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| 含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱 | |
| 引用本文： | 王文利,姬扬,郑厚植.含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱[J].半导体学报,1998,19(5):385-388. |
| 作者姓名： | 王文利 姬扬 郑厚植 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文从基本的光跃迁理论出发，用半经典的线性色散模型，计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱．计算结果表明，当吸收系数取２×１０－２ｎｍ－１时，在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰，并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽．这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的 |
| 关 键 词： | 分子束外延 MOCVD 半导体微腔 透射谱 量子阱 |
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