摘 要: | 应用溅射技术,在具有[111]取向的CdTe衬底上生长出了Cd组分(x值)在0.14—0.4范围内、大面积(大到15平方厘米)的Cd_xHg_(1-x)Te外延层(厚度<15微米)。在加热到200℃的衬底上,该外延层以每小时0.6微米的沉积速率生长。采用不同的分析技术,如反射高能电子衍射法(RHEED)、反射x射线形貌法和透射电子显微术(TEM),研究了外延层的晶体学特性。RHEED图形反映出外延层具有高品质晶体的性质。x射线形貌法的研究结果表明,外延层的亚结构与衬底的亚结构十分类似。上述结果与TEM的观察结果是一致的。
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