SiO2/CeF3复合薄膜的电致发光

采用真空电子束蒸发气相沉积技术在重掺杂n型硅衬底上制备了SiO₂/CeF₃复合薄膜电致发光器件。对器件中各膜层的微观结构和成分进行了表征，并研究了器件的电致发光特性。结果表明：器件在正反接时的电致发光光谱存在明显差异，相应的伏安特性曲线不对称。器件正接时，电致发光光谱在504 nm(绿光区)处和680 nm(红光区)处各出现一个发光峰；反接时，电致发光光谱除了在684 nm(红光区)处出现一个较弱的发光峰外，在434 nm处还出现了一个很强的蓝色发光峰。