沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti3SiC2涂层的影响

以TiCl₄-CH₃SiCl₃-H₂-Ar作为前驱体体系，石墨片为基底，采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti₃SiC₂涂层，研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响，通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)对涂层形貌及组成进行了分析。研究结果表明：在1 273～1 373 K,涂层沉积速率随温度上升而增加；在1 373～1 423 K,涂层沉积速率随温度上升而减小。当α为40%～50%时，涂层沉积速率随α增加而减小；α为50%～70%时，涂层沉积速率随α增加而增加。当温度为1 373 K,α为50%时，涂层以Ti₃SiC₂相为主，呈板状结构。基于微观形貌及组成分析的结果，提出了TiCl₄-CH₃SiCl₃-H₂-Ar作为前驱体体系制备Ti<...