Te~ 离子注入溶液生长的Pb_(1-x)Sn_xTe制备P-N结

采用Te~ 离子注入使N型Pb_(1-x)Sn_xTe转变成P型层。Te~ 离子浓度大于1×10~(15)/厘米~2,并经适当的后退火处理在N型Pb_(1-x)Sn_xTe表面上产生大约1微米厚P型层。近年来,曾采用离子注入在Pb_(1-x)Sn_xTe晶体中制备P-N结,晶体的类型转变是由于用离子注入(如同化学掺杂)引进外来的原子或因注入产生的晶格缺陷造成的。在本文中,我们报导通过基质原子Te的注入控制化学计算的偏差使N型Pb_(1-x)Sn_xTe晶体类型转变。为了减少因注入而产生的晶格缺陷(贡献出N型电导)还需要适当的后退火。