| 基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计 |
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| 引用本文： | 姚小江,李宾,陈延湖,陈小娟,魏珂,李诚瞻,罗卫军,王晓亮,刘丹,刘果果,刘新宇.基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计[J].半导体学报,2007,28(4):514-517. |
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| 作者姓名： | 姚小江 李宾 陈延湖 陈小娟 魏珂 李诚瞻 罗卫军 王晓亮 刘丹 刘果果 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京 100029;四川龙瑞微电子有限公司,成都 610041;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院微电子研究所,北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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中国科学院重点创新工程项目 |
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| 摘 要： | 研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.
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| 关 键 词： | AlGaN／GaN HEMT 功率合成器 混合集成电路 微波功率放大器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)04-0514-04 |
| 修稿时间： | 2006年10月8日 |
AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band |
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| Yao Xiaojiang,Li Bin,Chen Yanhu,Chen Xiaojuan,Wei Ke,Li Chengzhan,Luo Weijun,Wang Xiaoliang,Liu Dan,Liu Guoguo and Liu Xinyu.AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4):514-517. |
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| Authors: | Yao Xiaojiang Li Bin Chen Yanhu Chen Xiaojuan Wei Ke Li Chengzhan Luo Weijun Wang Xiaoliang Liu Dan Liu Guoguo and Liu Xinyu |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Longrui Microelectronic Corporation,Chengdu 610041,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMTs power combining MIC power amplifiers |
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