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| 超LS1共同研究所的亚微米图形剥离技术 | |
| 作者姓名： | 王秀春 |
| 摘 要： | 日本超LS1技术研究组合共同研究所的直到0.25微米的线条与间隔图形,被选为划时代的剥离技术。为更进一步将此技术用于布线,所以也同时研制了金属化工艺,这些都在十二月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表了。 剥离技术作为高精度加工方法是超LS1等的亚微米器件所不可缺少的技术。用以往的加工方法,由于部分剥离不成功 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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