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| 国外动态 | |
| 摘 要： | 据《日经》1980年11月10日刊报导: 日本松下电子工业公司使用GaAs衬底上生长的InGaP/GaAlAs双异质结构半导体激光器,成功地实现了可见光脉冲振荡。Ga-AlAs系可见光半导体激光器,在室温下已实现了720nm的波长,实现650～660nm的波长是可能的。该公司用(111)B取向的GaAs作衬底,在最高为800℃的温度下,用冷却速率为1℃/分的缓慢冷却法连续生长限制层和有源 |
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