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基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究
引用本文:陈长虹,易新建,张静,熊笔峰.基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究[J].红外与毫米波学报,2001(2).
作者姓名:陈长虹  易新建  张静  熊笔峰
作者单位:华中科技大学光电工程系!湖北,武汉,430074,华中科技大学光电工程系!湖北,武汉,430074,华中科技大学光电工程系!湖北,武汉,430074,华中科技大学光电工程系!湖北,武汉,430074
基金项目:国家高技术863基金!资助项目&&
摘    要:用微电子工艺制备了 V O2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96 K的环境温度中测试了该探测器对 8- 12 μm红外辐射的黑体响应率和噪声电压 ,结果显示该探测器在调制频率为 30 Hz时可以实现探测率 D*=1.89× 10 8cm H z1 /2W- 1 ,热时间常数 τ=0 .0 11s的非致冷红外探测

关 键 词:测辐射热探测器  红外  二氧化钒  探测率  响应率

CHARACTERIZATION OF UNCOOLED VO_2-BASED THIN FILMS BOLOMETER
CHEN Chang Hong YI Xin Jian,ZHANG Jing XIONG Bi Feng.CHARACTERIZATION OF UNCOOLED VO_2-BASED THIN FILMS BOLOMETER[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2001(2).
Authors:CHEN Chang Hong YI Xin Jian  ZHANG Jing XIONG Bi Feng
Abstract:
Keywords:bolometer  infrared  vanadium dioxide  detectivity  responsivity    
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