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| 硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系 | |
| 引用本文： | 肖滢滢,黄庆安,王建华.硅片键合界面缺陷分布与Weibull模数的关系[J].微纳电子技术,2004,41(12):36-40. |
| 作者姓名： | 肖滢滢 黄庆安 王建华 |
| 作者单位： | 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏,南京,210096;合肥工业大学理学院,安徽,合肥,230009 2. 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏,南京,210096 3. 合肥工业大学理学院,安徽,合肥,230009 |
| 摘 要： | 从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系。此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系。 |
| 关 键 词： | 键合 缺陷分布 Weibull模数 键合强度 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)12-0036-05 |
| 修稿时间： | 2004年5月13日 |
The defect distribution of bonded wafers and its relationship to the Weibull modulus |
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| XIAO Ying-ying,HUANG Qing-an,WANG Jian-hua.The defect distribution of bonded wafers and its relationship to the Weibull modulus[J].Micronanoelectronic Technology,2004,41(12):36-40. | |
| Authors: | XIAO Ying-ying HUANG Qing-an WANG Jian-hua |
| Affiliation: | XIAO Ying-ying1,2,HUANG Qing-an1,WANG Jian-hua2 |
| Abstract: | The relationship between the defect distribution of bonding wafer and W eibull modulus is discussed. This relation is confirmed by experimentations,and it can explain why wafer bon-ding strength is changed by annealing temperature. |
| Keywords: | bond defect distribution Weibull modulus bond strength |
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