| 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓 |
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| 引用本文： | 孙莉莉,薛成山,孙传伟,艾玉杰,庄惠照,王福学. 采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓[J]. 微细加工技术, 2007, 2(2): 34-35,40 |
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| 作者姓名： | 孙莉莉 薛成山 孙传伟 艾玉杰 庄惠照 王福学 |
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| 作者单位： | 1. 山东师范大学,半导体研究所,济南,250014
2. 济南大学,信息科学与工程学院,济南,250022 |
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| 摘 要： | 通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,线状GaN为六方纤锌矿结构单晶相,表面光滑,且成簇生长,直径在200 nm~400 nm左右,其长度可达5μm~20μm。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 线状 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)02-0034-02 |
| 修稿时间： | 2006-09-11 |
Smooth and Thread-shaped GaN Grown in Cluster by Ammoniating Technique |
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| SUN Li-li,XUE Cheng-shan,SUN C-huan-wei,AI Yu-jie,ZHUANG Hui-zhao,WANG Fu-xue. Smooth and Thread-shaped GaN Grown in Cluster by Ammoniating Technique[J]. Microfabrication Technology, 2007, 2(2): 34-35,40 |
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| Authors: | SUN Li-li XUE Cheng-shan SUN C-huan-wei AI Yu-jie ZHUANG Hui-zhao WANG Fu-xue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN |
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