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| F掺杂SnO2透明导电薄膜微结构及性能研究 | |
| 作者单位： | 莫建良（浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,杭州,310027）;陈华（浙江大学蓝星新材料技术有限公司,杭州,310027）;曹涯雁（浙江大学蓝星新材料技术有限公司,杭州,310027）;刘起英（浙江大学蓝星新材料技术有限公司,杭州,310027）;汪建勋（浙江大学蓝星新材料技术有限公司,杭州,310027）;翁文剑（浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,杭州,310027）;韩高荣（浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,杭州,310027） |
| 基金项目： | 国家863高技术计划(2001AA320202) |
| 摘 要： | 通过实验测量常压热分解CVD工艺制备的F掺杂SnO |
| 关 键 词： | CVD F掺杂SnO |
| 文章编号： | 0254-0096(2004)02-0152-05 |
| 修稿时间： | 2002-11-06 |
MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF SnO2:F FILMS PREPARED BY APCVD METHOD |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |