| 用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性 |
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| 引用本文： | 熊卫华,熊祖洪,陆昉.用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性[J].半导体学报,2001,22(9):1127-1130. |
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| 作者姓名： | 熊卫华 熊祖洪 陆昉 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目;; |
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| 摘 要： | 利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究 ,在光电流谱中观察到 λ1 =742 nm主峰 .同时也对多孔硅微腔的 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量 ,结合有效折射率方法和菲涅耳公式 ,对照 PL 谱和单层多孔硅的光电流谱 ,对常温下多孔硅微腔的光电流谱进行解释 .
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| 关 键 词： | 光电流 多孔硅微腔 PL谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1127-04 |
| 修稿时间： | 2000年10月3日 |
Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement |
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| XIONG Wei-hua,XIONG Zu-hong and LU Fang.Absorption of Porous Silicon Microcavitiesvia Photocurrent Measurement[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(9):1127-1130. |
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| Authors: | XIONG Wei-hua XIONG Zu-hong and LU Fang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photocurrent porous silicon microcavities PL spectrum |
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