| 采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性 |
| |
| 引用本文： | 陈堂胜,罗晋生.采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性[J].微电子学,1990,20(1):1-5. |
| |
| 作者姓名： | 陈堂胜 罗晋生 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所
(陈堂胜)，西安交通大学电子工程系(罗晋生) |
| |
| 摘 要： | 在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。
|
| 关 键 词： | 离子注入 SI－GaAs SI 注入层 |
Improvement of Electric Properties of SI-GaAs Si~+Implanted Layer by P+ Co-Implantation |
| |
| Chen Tangsheng.Improvement of Electric Properties of SI-GaAs Si~+Implanted Layer by P+ Co-Implantation[J].Microelectronics,1990,20(1):1-5. |
| |
| Authors: | Chen Tangsheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Ion implantation GaAs Annealing |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
