| 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度 |
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| 引用本文： | 李弋,刘斌,谢自力,张荣,修向前,江若琏,韩平,顾书林,施毅,郑有炓.高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度[J].功能材料,2008,39(8). |
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| 作者姓名： | 李弋 刘斌 谢自力 张荣 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.
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| 关 键 词： | 多量子阱 In组分 X射线衍射 |
High-resolution X-ray diffraction studies on the indium content and layer thicknesses in InGaN/GaN multiquantum wells |
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| LI Yi,LIU Bin,XIE Zi-li,ZHANG Rong,XIU Xiang-qian,JIANG Ruo-lian,HAN Ping,GU Shu-lin,SHI Yi,ZHENG You-duo.High-resolution X-ray diffraction studies on the indium content and layer thicknesses in InGaN/GaN multiquantum wells[J].Journal of Functional Materials,2008,39(8). |
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| Authors: | LI Yi LIU Bin XIE Zi-li ZHANG Rong XIU Xiang-qian JIANG Ruo-lian HAN Ping GU Shu-lin SHI Yi ZHENG You-duo |
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| Keywords: | InGaN/GaN |
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