Fe/Si多层膜经快速热退火合成β-FeSi_2薄膜的研究 |
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作者姓名: | 郭艳 沈鸿烈 张娟 唐正霞 鲁林峰 |
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作者单位: | 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目 |
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摘 要: | 采用磁控溅射仪在高阻Si(100)衬底上沉积了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜,并在Ar气气氛下进行了1000℃,10s的快速热退火。为了比较,也进行了880℃,30min的常规退火。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、光谱仪和霍尔效应仪分析了样品的晶体结构、表面形貌、光吸收特性和电学性能。结果表明:Fe/Si多层膜法合成的样品均为β-FeSi2相且在(220)/(202)方向择优生长;经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜光学带隙约为0.9 eV。[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多层膜经快速热退火合成的β-FeSi2薄膜表面粗糙度最小,该薄膜样品为p型导电,载流子浓度为4.1×1017cm-3,迁移率为48cm2/V.s。
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关 键 词: | β-FeSi_2 Fe/Si多层膜 快速热退火 磁控溅射 β-FeSi_2 |
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