用第一性原理研究F掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质 |
| |
引用本文: | 闫金良,曲崇.用第一性原理研究F掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质[J].半导体学报,2016,37(4):042002-7. |
| |
作者姓名: | 闫金良 曲崇 |
| |
摘 要: | 研究F掺杂浓度对β-Ga2O3的几何结构、电子结构和光学性质的影响。F掺杂β-Ga2O3在富Ga条件下容易制备,随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的稳定性增强,结构参数变大。F掺杂β-Ga2O3是一种n型半导体材料,导带中的占据态由Ga 4s、Ga 4p和O 2p态组成,占据态随F掺杂浓度的增加而增加。随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的禁带宽度收缩,占据态展宽。F掺杂β-Ga2O3的吸收谱呈现陡峭的带边吸收和宽的吸收带。随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的带边吸收蓝移,宽带吸收的强度增强。宽带吸收是由导带中的占据态向空态带内跃迁产生的。
|
关 键 词: | 半导体 电子结构 光学性质 F掺杂 β-Ga2O3 |
收稿时间: | 2015/7/29 0:00:00 |
修稿时间: | 2015/9/23 0:00:00 |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|