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| 沉积速率对EBD制备Si基Sc薄膜结构及形貌的影响 | |
| 引用本文： | 吴清英,罗顺忠,邴文增,刘锦华.沉积速率对EBD制备Si基Sc薄膜结构及形貌的影响[J].稀有金属材料与工程,2012(Z2):236-238. |
| 作者姓名： | 吴清英 罗顺忠 邴文增 刘锦华 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院 |
| 摘 要： | 运用电子束蒸发(EBD)镀在Si(111)底衬上沉积了金属Sc膜。在底衬温度为650℃时,研究沉积速率对Sc膜形貌与结构的影响。SEM及XRD分析结果表明:此方法制备的膜表面平整、致密;基底温度对Sc膜结构和表面形貌影响很大,在0.5～10nm/s范围内膜的表面形貌及微观结构以2nm/s为分界线可以分为两大类,低沉积速率时膜由唯一的(001)晶粒取向组成,而高沉积速率时膜的颗粒生长方向除了(001)外,还有很多其他的取向。 |
| 关 键 词： | 电子束蒸发 Sc 沉积速率 表面形貌 结构 |
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