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退火温度对ZnTe薄膜结构和性能的影响
引用本文:钟柳明,王占勇,金敏,张伟荣,刘文庆,徐家跃.退火温度对ZnTe薄膜结构和性能的影响[J].金属热处理,2012,37(10):76-79.
作者姓名:钟柳明  王占勇  金敏  张伟荣  刘文庆  徐家跃
作者单位:1. 上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海201418 上海大学微结构重点实验室,上海200444
2. 上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海,201418
3. 上海大学微结构重点实验室,上海,200444
基金项目:上海市自然科学基金,上海市教委创新项目,上海市重点学科建设资助项目
摘    要:采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上通过室温溅射和原位退火制备了ZnTe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等研究了退火温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:薄膜具有明显的<110>择优生长特征。随着退火温度的升高,薄膜结晶质量逐渐提高,晶粒长大,透过率增加;但过高的退火温度降低了晶体的结晶质量和透过率。当退火温度为280℃时,ZnTe薄膜具有最好的结晶质量,平均透过率达到90%左右。

关 键 词:ZnTe薄膜  脉冲激光沉积  退火温度  结构  性能

Effects of annealing temperature on structure and properties of ZnTe thin films
ZHONG Liuming,WANG Zhanyong,JIN Min,ZHANG Weirong,LIU Wenqing,XU Jiayue.Effects of annealing temperature on structure and properties of ZnTe thin films[J].Heat Treatment of Metals,2012,37(10):76-79.
Authors:ZHONG Liuming  WANG Zhanyong  JIN Min  ZHANG Weirong  LIU Wenqing  XU Jiayue
Affiliation:1(1.Department of Materials Engineering,Shanghai Institute of Technology,Shanghai 201418,China; 2.Key Laboratory of Advanced Microanalysis,Shanghai University,Shanghai 200444,China)
Abstract:
Keywords:ZnTe thin film  pulsed laser deposition  annealing temperature  structure  properties
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