| 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET |
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| 引用本文： | 程新红,宋朝瑞,俞跃辉,袁凯,许仲德. 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET[J]. 半导体技术, 2006, 31(7): 523-525 |
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| 作者姓名： | 程新红 宋朝瑞 俞跃辉 袁凯 许仲德 |
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| 作者单位： | 温州大学,物理与电子信息学院,浙江,温州,325027;中科院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;东北微电子所,沈阳,110021 |
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| 摘 要： | 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.
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| 关 键 词： | 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)07-0523-03 |
| 收稿时间： | 2006-02-10 |
| 修稿时间： | 2006-02-10 |
Improved Body Contact Technology for SOI LDMOSFET Fabrication |
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| CHENG Xin-hong,SONG Zhao-rui,YU Yue-hui,YUAN Kai,XU Zhong-de. Improved Body Contact Technology for SOI LDMOSFET Fabrication[J]. Semiconductor Technology, 2006, 31(7): 523-525 |
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| Authors: | CHENG Xin-hong SONG Zhao-rui YU Yue-hui YUAN Kai XU Zhong-de |
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| Affiliation: | 1.School of Physics and Electronic Information, Wenzhou University, Wenzhou 325027, China,; 2. Shanghai Institute of Microsystem and lnformation Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China,; 3. Northeast Institute of Microeiectronics, Shenyang 110021, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon-on-insulator (SOI) body contact LDMOS |
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