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活性炭块诱发SiC晶须生长的研究
引用本文:陈旸,乜玉强,乔宁,李欣.活性炭块诱发SiC晶须生长的研究[J].材料导报,2016,30(14):80-83, 108.
作者姓名:陈旸  乜玉强  乔宁  李欣
作者单位:1. 华北理工大学材料科学与工程学院,唐山063009;河北省无机非金属材料重点实验室,唐山063009;2. 华北理工大学建筑工程学院,唐山,063009
基金项目:唐山市科技计划项目(14130272a);华北理工大学大学生创新创业训练计划项目(X2015181);河北省自然科学基金青年基金(E2016209327)
摘    要:以含氢硅油为前驱体,选用3种不同的活性炭块(1cm×1cm×1cm)为基体,经交联、制粉、包埋,氩气保护下烧结制备SiC晶须(SiCw)。对含氢硅油的交联工艺进行了研究,以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响。结果表明,交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素;其次依次是保温时间、催化剂含量、交联剂含量。在不同基体的诱导研究中,石墨基体表面生成的晶须较平直,另外两种基体未见均匀分布且长直的SiC晶须生成。SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发,较低温度下晶须头部液滴的存在说明其生长机制符合VLS机制。

关 键 词:SiC晶须  含氢硅油  交联度  生长机制  正交试验法

Research on Growth of SiC Whisker Induced by Active Carbon Block
CHEN Yang,NIE Yuqiang,QIAO Ning and LI Xin.Research on Growth of SiC Whisker Induced by Active Carbon Block[J].Materials Review,2016,30(14):80-83, 108.
Authors:CHEN Yang  NIE Yuqiang  QIAO Ning and LI Xin
Abstract:
Keywords:SiCw  hydrogen silicon oil  cross-linking  growth mechanism  orthogonal experimental method
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