| 硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的制备与表征 |
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| 引用本文： | 魏海,刘旭文,胡艳,唐惠梁,叶迎华,沈瑞琪.硅基Cu(N3)2@CNTs复合含能薄膜的制备与表征[J].含能材料,2020,28(6):558-564. |
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| 作者姓名： | 魏海 刘旭文 胡艳 唐惠梁 叶迎华 沈瑞琪 |
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| 作者单位： | 南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094,南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094,南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094,南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094,南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094,南京理工大学化工学院,江苏 南京 210094 |
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| 基金项目： | 江苏省研究生科研与实践创新计划资助（KYCX19_0320） |
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| 摘 要： | 针对叠氮化铜(Cu(N_3)_2)静电感度高、难以实际应用的问题,设计了一种基于硅基底的内嵌叠氮化铜碳纳米管复合含能薄膜材料。首先,采用改进的两步阳极氧化法在硅基底上制备多孔氧化铝薄膜,然后将其作为模板,先后通过化学气相沉积法和电化学沉积法在氧化铝孔道中制备内嵌铜纳米颗粒的定向碳纳米管(CNTs)阵列,最后利用气固相叠氮化反应制备得到可与微机电系统(MEMS,Micro-electro Mechanical Systems)加工工艺相兼容的硅基Cu(N_3)_2@CNTs复合含能薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等手段对材料的微观形貌、晶体结构和组成成分进行了表征,利用差示扫描量热法(DSC)对复合含能薄膜进行了热分解动力学研究,采用升降法测试了复合含能薄膜的静电感度。研究结果表明:硅基Cu(N_3)_2@CNTs复合含能薄膜的活化能约为230.00 kJ·mol-1,热爆炸临界温度约为193.18℃;复合薄膜的静电感度明显得到改善,50%的发火能量约为4.0 mJ。
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| 关 键 词： | 复合含能薄膜 Cu(N3)2@CNTs 静电感度 电化学沉积 |
| 收稿时间： | 2019/6/12 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/11/25 0:00:00 |
Preparation and Characterization of Silicon-based Cu(N3)2@CNTs Composite Films |
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| WEI Hai,LIU Xu-wen,HU Yan,TANG Hui-liang,YE Ying-hua and SHEN Rui-qi.Preparation and Characterization of Silicon-based Cu(N3)2@CNTs Composite Films[J].Chinese Journal of Energetic Materials,2020,28(6):558-564. |
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| Authors: | WEI Hai LIU Xu-wen HU Yan TANG Hui-liang YE Ying-hua and SHEN Rui-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | composite energetic films Cu(N3)2@CNTs electrostatic sensitivity electrochemical deposition |
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