|
|||||
|
|
| 日本原研与日新电机开发出批量生产硅片的技术 | |
| 作者姓名： | 李韡 |
| 摘 要： | 【日本《原子能视野》1999年11月刊第57页报道】 日本原子能研究所与日新电机合作,开发出了作为太阳电池或大规模集成电路(LSI)的基片很有市场前景的厚0.5～10微米的硅片批量生产技术。该技术是利用国际热核聚变实验堆(ITER)用的负离子束将单晶硅切成片,制造出薄膜。这与传统的方法相比,处理速度是以前的100～1000倍。根据市场需求开发出绝缘层上硅单晶(SOI)的快速、低耗电、高温工作、耐辐射的元件。SOI的制造方法有:把氢离子打进单晶,切出薄膜的氢注入脱层法等。 脱层法采用氢的正离子,由于离子束中混杂有大量的分子离子及杂质金属… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |