分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料 |
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引用本文: | 张福厚,陈江华,宋珂. 分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料[J]. 山东大学学报(工学版), 1997, 0(3) |
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作者姓名: | 张福厚 陈江华 宋珂 |
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作者单位: | 山东工业大学电子工程系 |
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摘 要: | 采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料.采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器.波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW.
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关 键 词: | 分子束外延;量子;超晶格半导体 |
ON QUANTUM WELL MATERIAL GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY |
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Abstract: | |
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Keywords: | Molecular beam epitaxy Quantum Superlattice semiconductors |
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