| 硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究 |
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| 引用本文： | 柴常春,杨银堂,李跃进,贾护军. 硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究[J]. 功能材料, 2001, 32(2): 172-174 |
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| 作者姓名： | 柴常春 杨银堂 李跃进 贾护军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!（69772023） |
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| 摘 要： | 用等离子体刻蚀（PE)工艺，以四氟化碳（CF4）和六氟化硫（SF6）以及它们与氧气（O2）的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究。结果表明在同样刻蚀工艺条件下，以SF6＋O2作为刻蚀气体要比以CF4＋O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率；在任何气体混合比条件下经SF6＋O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳（C）表面的残余SiC层；而经CF4＋O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关，但刻蚀后的样品表面更为细腻。文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较。
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 刻蚀气体 碳化硅薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2001)02-0172-03 |
| 修稿时间： | 1999-10-13 |
Study on Plasma Etching of β-SiC Thin Films Prepared by Epitaxial Grown on Si - Substrates in Different Etching Gases |
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| CHAI Chang-chun,YANG Yin-tang,LI Yue-jin,JIA Hu-jun. Study on Plasma Etching of β-SiC Thin Films Prepared by Epitaxial Grown on Si - Substrates in Different Etching Gases[J]. Journal of Functional Materials, 2001, 32(2): 172-174 |
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| Authors: | CHAI Chang-chun YANG Yin-tang LI Yue-jin JIA Hu-jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC thin films plasma etching(PE) etching gas |
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