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| 日本使用超临界CO2清除残留的光刻胶 | |
| 引用本文： | 田波.日本使用超临界CO2清除残留的光刻胶[J].低温与特气,2005,23(5):9-9. |
| 作者姓名： | 田波 |
| 摘 要： | 日本索尼公司最新开发成功使用超临界CO2清除在制备超大规模集成电路过程中的干燥—蚀刻残留的光刻胶。 |
| 关 键 词： | 超临界CO2 日本索尼公司 光刻胶 残留 清除 超大规模集成电路 蚀刻 |
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