首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析
引用本文:叶超,宁兆元,程珊华,辛煜,许圣华. 氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析[J]. 功能材料, 2004, 35(3): 338-340
作者姓名:叶超  宁兆元  程珊华  辛煜  许圣华
作者单位:苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006;苏州大学,物理科学与技术学院,江苏,苏州,215006
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10175048),江苏省高校省级重点实验室开放课题资助项目(KJS01012)
摘    要:研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜的低频(10^2~10^6Hz)介电性质。发现α-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C—F相对含量的增大则使低频介电色散减弱。

关 键 词:氟化非晶碳(a-C:F)薄膜  介电色散  键结构
文章编号:1001-9731(2004)03-0338-03
修稿时间:2003-07-21

Dielectric properties of fluorinated amorphous carbon thin films
YE Chao,NING Zhao-yuan,CHENG Shan-hua,XIN Yu,XU Sheng-hua. Dielectric properties of fluorinated amorphous carbon thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(3): 338-340
Authors:YE Chao  NING Zhao-yuan  CHENG Shan-hua  XIN Yu  XU Sheng-hua
Abstract:
Keywords:amorphous fluorinated carbon  dielectric dispersion  bond configuration
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号