| 硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜 |
| |
| 引用本文： | 孙振翠,曹文田,王书运,薛成山,伊长虹. 硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜[J]. 功能材料与器件学报, 2008, 14(5) |
| |
| 作者姓名： | 孙振翠 曹文田 王书运 薛成山 伊长虹 |
| |
| 作者单位： | 山东交通学院数理系,济南,250023;山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，山东交通学院校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.
|
| 关 键 词： | Ga2O3薄膜 GaN薄膜 射频磁控溅射 扩镓时间 |
GaN films synthesized through reactively reconstructing Ga2O3 films sputtered on Ga -diffused Si substrates |
| |
| SUN Zhen-cui,CAO Wen-tian,WANG Shu-yun,XUE Cheng-shan,YI Chang-hong. GaN films synthesized through reactively reconstructing Ga2O3 films sputtered on Ga -diffused Si substrates[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2008, 14(5) |
| |
| Authors: | SUN Zhen-cui CAO Wen-tian WANG Shu-yun XUE Cheng-shan YI Chang-hong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
